半導体電子工学II (2010年度)
3年生
半導体電子工学II (毎週水曜日2限,LR401,10月6日開講)- ・参考書:読み物として眺めてみてください。式が無いのでこの授業よりも取付き易いはずです。
半導体、半導体デバイスに興味が湧いてきたら、授業に真剣に取り組んでみてください。 -
(1)
岡部洋一,「絵でわかる半導体とIC」,日本実業出版社(ISBN4-534-02160-7)
(2) 菊池正典,「半導体のすべて」,日本実業出版社(ISBN4-534-02852-0)
(3) B.L.アンダーソン他 「半導体デバイスの基礎」 中(樺沢宇紀訳)(ISBN9-784-431-10029-4)- ・他講義との関連性 (積み重ねが大事です)
- ・成績評価基準
(受講者の理解度に応じて基準が変更になることがあります。ご了承下さい。)
以下の合計を 100点満点で評価します(以下合計すると100点を
越えることがありますが、その場合でも100点(優)です)。
- 宿題 10点/回
- 中間 テスト 40点
- 定期試験 50点
- 以下は+α します
- 質問に完答 : 2点/回(合計で最高20点まで算入)
- 資料のミスの指摘: 2点/回(合計で最高20点まで算入)
・授業の目的、到達目標、内容、教科書等は授業要覧(シラバス)をご覧下さい。
授業内容は、講義を受講する方々の理解度によって、量子物理工学、固体物性工学、半導体電子工学I ,電磁気学,数理物理工学等で修得すべき 内容に関して、復習せざるを えない場合があるため、授業要覧に示した内容を網羅できない場合が起こりうることを予めご了承下さい。
また,成績評価基準はH21年度まで上記の基準を遵守してきましたが,講義を受講する方々の理解度にしたがって(量子物理工学,固体物性工学, 半導体電子工学 I ,電磁気学,数理物理工学等の単位は修得しているが,簡単な質問に答えられないなど本講義を受講するのに要求されている -
内容を修得されていない場合などには), 変わりうることを予めご了承下さい。
- ・成績評価基準
- ・他講義との関連性 (積み重ねが大事です)
10月 6日 半導体電子工学の基礎(復習) >>サポート
10月13日 pn接合ダイオード(1) 掲載終了しました
10月20日 pn接合ダイオード(2) 掲載終了しました
10月27日 pn接合ダイオード(3) 掲載終了しました
11月 3日文化の日(休講) 掲載終了しました
11月10日 MOS構造(1)
11月17日 MOS構造(2)
11月24日 MOS構造(3)
12月 1日 MOS構造(4)
12月 8日 MOSFET(1),MOSIC(1)
12月15日 MOSFET(2)- 12月22日 理解度チェックテスト 解答例(password 付き)
1月 12日 MOSFET(3)
1月19日 MOSIC(1),バイポーラトランジスタ
1月26日 期末テスト直前対策(大錯?) 12月22日の解答例は上記に貼付しました.
2月 2日 期末テスト