0. はじめに

以下のファイルは, windows7 / vista / xp (32bit環境)で実行する目的で記述されています．

1. バルク半導体のフェルミレベルの位置
Bulk_Fermi (zipですので，例のパスワードで解凍してから実行してください)

• 2. Si pn接合の I-V特性
  ・ PN_IV (zipですので，例のパスワードで解凍してから実行してください)
  ・ pniv_cygwin (← 上が動かないという方は，こちらを試してください.)
  - 出力データの構造
  ◆ 実行結果 例1, 例2
  (それぞれ印加電圧=0V, 0.3Vの時のバンド構造と擬フェルミ準位，真性フェルミ準位の空間分布を示しています．)
  ・ source code (ご説明している時間がありませんので，ご興味のある方は，中身の詳細はTAに聞くか，P4研究室に入って学習してください.)
  

  3. Si MOS 構造の C-V特性，I-V特性
  ・ qsf (zipですので，例のパスワードで解凍してから実行してください．)
  ◆ 実行例 (講義資料11月21日 p.15 も参照のこと)
  ・ surface_charge source code (表面電荷密度 Qs と 表面電位φs との関係を計算するするプログラムです)
  p型基板中のアクセプタ密度 Na の値を data.in の中に書き込んで実行するφs-Qsのデータが出力されます．
  ・ mos_potential ゲート電圧Vg，ドレイン電圧Vd と MOSバンド構造との関係
  実行するとMOSFETの伝導帯バンド構造が変化する様子が見て取れます．
  ◆ 実行例
  ・ mosivc MOSFETのドレイン/ゲート I-V 特性
  実行するとMOSFETのドレイン I-V特性と ゲート I-V特性が計算されます．
  (要 gnuplot / wgnuplot ← これが厭な方はsource codeから当該部分を取り外してcompileしてから実行してください)
  ◆ 実行例

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  ご質問は，TAにどうぞ

  
  

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