Semiconductor Devices

半導体電子工学II(平成18年度)


授業内容	沼先生のページを参考にして下さい。システムサイドからMOSデバイスを眺めることが　出来ると思います。(勝手にリンクしています)。　　神戸大学のセキュリティ設定のために学外からは一部御覧になれません。

・参考書：読み物として眺めてみてください。式が無いのでこの授業よりも取付き易いはずです。
　　　　　　半導体、半導体デバイスに興味が湧いてきたら、授業に真剣に取り組んでみてください。

(1) 岡部洋一，「絵でわかる半導体とＩＣ」，日本実業出版社（ISBN4-534-02160-7）
(2) 菊池正典，「半導体のすべて」，日本実業出版社（ISBN4-534-02852-0）

・プログラム : 添付しているプログラムは matlab 言語で書かれています。
・実行するためには matlab trial version (30日間期限付)をインストールするか, 正規に student version を購入するか, freeのソフトでmatlab互換の octave (あるいはここから)をインストールして実行してみて下さい。
(稚拙なプログラムですので，教職員の方は中味を見ないで下さい。)

・成績評価法.

開講時間毎週水曜日２限(10:40-12:10) LR401教室

１０月　4日	半導体の基礎(復習) 　簡単なテスト (解答例)
１０月１１日	半導体の基礎(復習) 　　・キャリア密度の式　　・電流密度の式　　・連続の式　　・ポアソン方程式　出席テスト

１０月１８日

　再結合過程と連続の式

　宿題
(提出方法:授業の始まる前までにLR401の教卓の上に提出のこと)

解答例

１０月２５日

pn接合ダイオード(1)
バイアス印加時のバンド構造
C-V特性 (来週話します)
　I-V特性 (来週話します)
　作り方(fabrication technology) (来週話します)
　出席問題（解答は11月15日のを御覧下さい）

１１月 1日	休講予定 (済みません。1週間間違っていました。）
１１月８日	pn接合ダイオード(2) C-V特性，I-V特性（1）, 作成方法　プログラム(Poisson_NP.m 　pn接合のバンド構造，電位分布，キャリア密度分布) ※ 上のmatlab あるいは octave をインストールして動かしてみて下さい．

１１月１５日

　I-V特性(2)
　出席問題　
　解答例
(10月25日の問題の繰り返しです.できなかった方は大いに反省して下さい．）
　 H18年11月17日中山喜萬先生(大阪府立大学)ご講演(4限)

１１月２２日

MOS構造(1)

１１月２９日

　MOS構造(2)
　出席問題　（配布差上げているのだから捨てないで保存しておいてください）

１２月６日	MOS構造(3) 　出席問題
１２月１３日	MOS構造(4) 　出席問題
１２月２０日	MOS構造(5) 　出席問題　宿題（注）11月8日の問題とは上にある「11月8日のPoisson_NP.mを動かしてみてください。」という意味です。
平成１９年　　　　１月１O日	MOSFET（1）, MOSIC 　出席問題
１月1７日	MOSFET（2）, MOSIC,Bipolar Device (1) 　出席問題　 Web 授業評価アンケート　（1月17日～2月25日）　回答要領
1月２４日	Bipolar Device (2), Bipolar IC 　集積回路工学IVに続く